单光束直射取样式光电传感器:ST140F

 

 一、特点

 1.防尘式结构设计,可用于各种插卡位置检测

 2.采用高发射功率红外光电二极管和高灵敏度光电晶体管组成

 3.采用非接触检测方式

 

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二、极限参数(Ta=25℃)

项目

符号

数值

单位

输入

正向电流

IF

50

mA

反向电压

Vr

6

V

耗散功率

P

75

mW

输出

集-射电压

Vceo

25

V

射-集电压

Veco

6

V

集电极功耗

Pc

50

mW

工作温度

Topr

-20~+65

储存温度

Tstg

-30~+75

三、光电特Ta=25

 

符号

测试条件

最小

典型

****

单位

输入

正向压降

VF

IF=20mA

-

1.25

1.5

V

反向电流

IR

VR=3V

-

-

10

μA

输出

集电极电流

Iceo

Vce=20V

-

-

1

μA

集电极通电流

IL

 Vce=5V   IF=8 mA

0.40

-

-

mA

饱和压降

VCE

IF=8mA Ic=0.5 mA

-

-

0.4

V

传输

特性

响应时间

Tr

IF=20mA  Vce=10V

IRc=100Ω

-

5

-

μs

Tf

-

5

-

μs

地址:福建省南平市马坑支路42号 邮编:353000 开户行:中行南平分行 帐号:880004445408091001
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